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比色測溫儀在多晶硅提純技術中的應用
發布時間：2015-06-16 16:51:48點擊數：
一、工藝簡述
多晶硅，是單質硅的一種形態。多晶硅是生產太陽能電池的原料，多晶硅切片后主要是用于制造太陽能電池，或者經深加工后生產單晶硅再切片，以提高太陽能的轉化率，同時單晶硅還用于生產電子元器件，是當代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉換等半導體器件的電子信息基礎材料。
多晶硅提純技術有：西門子法、流化床法和冶金法。國際上生產高純多晶硅的生產工藝以"改良西門子法一三氯氫硅氫還原法"為主(約占全球總產量的80%)。
西門子法是由德國Siemens公司發明并于1954年申請了專利1965年左右實現了工業化。經過幾十年的應用和發展，西門子法不斷完善，現在已發展到第三代多晶硅生產工藝即改良西門子法，它在第二代的基礎上增加了還原尾氣干法回收系統、SiCl4回收氫化工藝，實現了完全閉環生產，是西門子法生產高純多晶硅技術的最新技術。
該工藝將工業硅粉與HCl反應，加工成SiHCl3 ，再讓SiHCl3在1100℃左右的H2氣氛的還原爐中還原沉積得到多晶硅。還原爐排出的尾氣H2、SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2 和HCl經過分離后再循環利用。
二、工廠測試效果
我公司生產的雙色（比色）紅外測溫儀和威廉姆遜測溫儀在一家國內知名的多晶硅制造商生產現場進行對比測試。
多晶硅還原爐有多個窗口。觀察窗為雙層玻璃，中間為流動冷卻氣體，窗口直徑明顯大于測溫儀透鏡直徑。還原爐內徑小于兩米（即測量距離小于兩米）。
中部三個窗口用于測溫。爐內多晶硅為柱狀，呈內中外三圈分布，三個測溫儀分別測試爐內內中外多晶硅柱的溫度。多晶硅柱最小直徑約為7毫米。
第一天多晶硅柱約為7毫米，溫度890℃左右跳動，威廉姆遜測溫儀為溫度880℃左右跳動。
第二天溫度1000℃左右跳動，威廉姆遜測溫儀為溫度990℃左右跳動。
第三天溫度1010℃左右跳動，威廉姆遜測溫儀為溫度990℃左右跳動。
測試曲線平穩度與威廉姆遜近似,未看到明顯差異。
觀察窗口 測試情況
多晶硅，是單質硅的一種形態。多晶硅是生產太陽能電池的原料，多晶硅切片后主要是用于制造太陽能電池，或者經深加工后生產單晶硅再切片，以提高太陽能的轉化率，同時單晶硅還用于生產電子元器件，是當代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉換等半導體器件的電子信息基礎材料。
多晶硅提純技術有：西門子法、流化床法和冶金法。國際上生產高純多晶硅的生產工藝以"改良西門子法一三氯氫硅氫還原法"為主(約占全球總產量的80%)。
西門子法是由德國Siemens公司發明并于1954年申請了專利1965年左右實現了工業化。經過幾十年的應用和發展，西門子法不斷完善，現在已發展到第三代多晶硅生產工藝即改良西門子法，它在第二代的基礎上增加了還原尾氣干法回收系統、SiCl4回收氫化工藝，實現了完全閉環生產，是西門子法生產高純多晶硅技術的最新技術。
該工藝將工業硅粉與HCl反應，加工成SiHCl3 ，再讓SiHCl3在1100℃左右的H2氣氛的還原爐中還原沉積得到多晶硅。還原爐排出的尾氣H2、SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2 和HCl經過分離后再循環利用。
二、工廠測試效果
我公司生產的雙色（比色）紅外測溫儀和威廉姆遜測溫儀在一家國內知名的多晶硅制造商生產現場進行對比測試。
多晶硅還原爐有多個窗口。觀察窗為雙層玻璃，中間為流動冷卻氣體，窗口直徑明顯大于測溫儀透鏡直徑。還原爐內徑小于兩米（即測量距離小于兩米）。
中部三個窗口用于測溫。爐內多晶硅為柱狀，呈內中外三圈分布，三個測溫儀分別測試爐內內中外多晶硅柱的溫度。多晶硅柱最小直徑約為7毫米。
第一天多晶硅柱約為7毫米，溫度890℃左右跳動，威廉姆遜測溫儀為溫度880℃左右跳動。
第二天溫度1000℃左右跳動，威廉姆遜測溫儀為溫度990℃左右跳動。
第三天溫度1010℃左右跳動，威廉姆遜測溫儀為溫度990℃左右跳動。
測試曲線平穩度與威廉姆遜近似,未看到明顯差異。
觀察窗口 測試情況